脑电波传感器科学家,发现了可改善大脑学习能力的脑细胞
脑电波传感器科学家,发现了可改善大脑学习能力的脑细胞

  当下关于学习与记忆的人脑工作机制,正在脑电波传感器科学家的进一步研究中,特别是在人脑的神经回路层面;然而近日,在一项刊登在某国际杂志之上的报告中,一些来自于乌普萨拉大学这样的机构的科学家们,经过研究刚刚发现了一种十分特殊的大脑神经元,有可能在机体学习功能上扮演了关键性的角色,与之相关的研究也许可以帮助广大研究人员来开发一些新型的疗法,从而治疗阿尔兹海默病患者大脑出现的记忆丧失。

脑电波传感器

  当一个患者痴呆症的人忘记自己刚吃完饭,这或许是因为其大脑海马体受到了损伤,相反,同样的人可以生动地描述其40年前的一趟钓鱼之旅,而所有的情况都需要情景记忆,大脑中会储存我们亲身经历的事件,而痴呆症疾病会损伤大脑形成新生记忆的能力,尤其是疾病开始发生时个体所经历的事件。

  这项研究中,研究人员在大脑中发现了特殊的神经元或能在机体学习功能上扮演关键角色,此前研究人员通过研究发现了一种特殊的“守卫细胞”或OLM细胞(方位腔隙分子细胞,Oriens-lacunosummolecularecells),这些细胞位于海马体中,海马体作为大脑中关键区域,其能够帮助形成新生记忆;研究者表示,我们发现OLM细胞的活性能够影响大脑对记忆的编码机制。

  当对实验小鼠进行研究过度激活其大脑中的OLM细胞时,其记忆和学习功能就会开始退化,而当这些细胞处于失活状态时,大脑新生记忆形成的功能就会被改善;相关研究结果或能帮助研究人员理解大脑记忆回路中的单一组分如何影响记忆的形成。研究者KlasKullander指出,我们原以为这会损伤机体的学习能力,但在分子水平下进行实验对大脑所产生的效应或许会扰乱大脑神经系统的正常功能,然而我们也很好奇地发现大脑的学习和记忆功能得到了明显改善。

  相关研究结果或许还能帮助研究人员开发特殊疗法来抵消阿尔兹海默病和痴呆症患者大脑中记忆形成的缺失,阿尔兹海默病患者较早出现的症状常常与记忆力不好有关,这些患者尤其会表现为短期记忆明显受损,对于遭受痴呆症症状的患者而言,失去记忆功能是他们每天需要面对的问题,但不幸的是,目前并没有可用的疗法来有效阻断痴呆症患者的疾病进展。

  脑电波传感器研究者Kullander说道,下一步我们将通过更深入的研究和实验来阐明人类和动物模型所表现出的差异,当然在进行相关实验之前研究人员还需要获取更多知识来刺激人类机体中OLM细胞的产生。

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